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Micro Commercial Co 的 100 V 双 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 采用 DFN3333-D 封装，专为紧凑型电源应用而设计。
MCC SICWT40120G6M SiC 肖特基二极管针对需要在极端条件下可靠运行的严苛电源系统进行了优化。
MCC MCACLS1D6N06YH-TP 双 N 沟道 MOSFET 专为实现高效电源开关和紧凑型功率级而设计。
MCC 100 V N 沟道 MOSFET 采用经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术，可实现低开关损耗和高效率。
MCC MCACL190N06Y-TP 是一款采用紧凑型 DFN5060-C 封装的高性能 60 V N 沟道 MOSFET。
MCC MCTLD58N04Y-TP 40 V N 沟道 MOSFET 具有高雪崩稳健性，可实现强大的电感反冲保护和系统可靠性。
Micro Commercial Components 的 MCAC 功率 MOSFET 系列提供 40 V 和 100 V VDS 类别，以支持各种电源架构。
Micro Commercial Components 的 MIW40NxxAH2Y IGBT 非常适合在严苛的电源系统中实现高压开关、热稳定性和电气可靠性。
MCC 60 V、50 A MCACD8D5N06YL-TP 高效双 N 沟道 MOSFET 阵列采用紧凑型 PDFN5060-8D 表面贴装封装。
MCC 的 SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP SiC 肖特基二极管具有优异的开关效率、可忽略不计的反向恢复电流和热稳定性。
MCC 的紧凑型 DPAK 和高散热 D2PAK 封装经过优化，适用于需要可靠功率容量和高效散热能力的高密度设计。
Micro Commercial Components 的 MCMWF090N06LKHE3-TP 90 mΩ、8.1 A N 沟道 MOSFET 非常适合低功率到中等功率的汽车应用。
Micro Commercial Components 符合 AEC-Q101 标准的 1200 V SiC 肖特基势垒二极管具有超低开关损耗和高温电源转换性能。
Micro Commercial Components 的 SiC 肖特基二极管系列适用于高压整流，在电源转换应用中具有低恢复损耗和良好的热性能。
Understand the difference between 8/20 and 10/1000 current waveform pulses.
MCC SMHE 系列 TVS 二极管的工作电压范围为 5.0 V 至 90 V，采用 SOD-323HE-B 封装，可为敏感电子设备提供感应瞬变防护。
GBJ 系列桥式整流器
发布日期：2026-01-29
Micro Commercial Components (MCC) 600 V 和 800 V 低 VF 桥式整流器系列采用 GBJ 封装，提供 15 A、25 A 和 35 A 额定电流。
Micro Commercial Components MCAC4D4N04YL-TP 是一款采用小型 DFN5060 封装的高性能 N 沟道 MOSFET，专为空间受限的应用而设计。
Micro Commercial Components 的 MCTL011N20YH-TP 200 V N 沟道 MOSFET 采用 TOLL-8L 封装，具有高电流处理能力和优异的热性能。
