Micro Commercial Components (MCC)

MCACLS1D6N06YH-TP 双 N 沟道 MOSFET 采用 PDFN5060-DSC-B 封装

MCC MOSFET 采用经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术，可实现低开关损耗和高效率

采用 PDFN5060-DSC-B 封装的 MCC MCACLS1D6N06YH-TP 双 N 沟道 MOSFET 图片Micro Commercial Components (MCC) MCACLS1D6N06YH-TP 双 N 沟道 MOSFET 阵列采用紧凑的 PDFN5060-DSC-B 封装，专为实现高效电源开关和紧凑型功率级而设计。该器件将两个低电阻 N 沟道 MOSFET 集成到单个封装中，以减少电路板空间并简化布局，同时提供高效的传导和稳健的性能。MCACLS1D6N06YH-TP 具有 60 V 的漏源电压额定值和业界领先的导通电阻 (1.68 mΩ)，使设计人员能够在空间受限的应用（例如 DC/DC 转换器、配电、电机驱动和便携式电源系统）中实现大电流开关解决方案。

特性
  • 经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术降低了开关损耗并提高了效率
  • PDFN5060-DSC-B 双侧冷却封装具有出色的散热性能，支持高密度电路板布局和高效的热性能
  • 双 N 沟道 MOSFET 阵列将两个电源开关集成在一个紧凑的封装中，从而减少了 PCB 占用空间和元器件数量
  • 低导通电阻 RDS(ON)（VGS = 10 V 时，最大值仅 1.6 mΩ）显著减少了传导损耗并提高了系统效率
  • 60 V 漏源电压 (VDS) 额定值适用于 12 V 和 24 V 电源转换系统
  • 高连续电流 (300 A) 能力使其适合严苛的功率级应用
  • 符合 RoHS 规范且不含卤素，符合全球环境和绿色制造标准
应用
  • DC/DC 转换器和稳压器
  • 电池管理系统 (BMS)
  • 配电和负载开关
  • 电机驱动器和电机控制应用
  • 电信、服务器和工业功率级

MCACLS1D6N06YH-TP Dual N-Channel MOSFET in a PDFN5060-DSC-B Package

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2026-04-15