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采用 DFN5060-C 封装的 MCACL190N06Y-TP 60 V N 沟道 MOSFET
MCC 60 V、2 mΩ、190 A、N 沟道功率 MOSFET 采用紧凑的 5 mm x 6 mm 封装，适用于高效开关应用
Micro Commercial Components (MCC) MCACL190N06Y-TP 高性能 60 V N 沟道 MOSFET 采用紧凑型 DFN5060-C 封装。该器件采用 Clip 技术，具有约 2 mΩ 的超低静态漏源导通电阻和 190 A 的高连续电流额定值，因而成为高效电源开关应用的理想选择。MCACL190N06Y-TP 为设计人员提供了一种具有散热能力的可靠解决方案，适用于工业、消费类和汽车相关电路中的下一代电源系统。
特性
- 超低导通电阻 RDS(on)（VGS = 10 V 时，最大值仅约 2 mΩ）最大限度减少了传导损耗并提高了大电流设计的效率
- 经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术降低了开关损耗并提高了效率
- 60 V 额定漏源电压 (VDS) 适用于中等电压电源系统和开关拓扑结构
- 高连续漏极电流 (190 A) 能力适合严苛的功率级应用
- DFN5060-C 封装外形紧凑，热传递效率高，适用于高密度 PCB 布局
- 符合 RoHS 规范且不含卤素，符合全球环境和绿色制造倡议
应用
- DC-DC 转换器
- 负载开关和电源管理应用
- 电机控制器
- 电信和工业电源
- 电池供电型系统
MCACL190N06Y-TP 60V N-Channel MOSFET in DFN5060-C Package
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCACL190N06Y-TP | N-CHANNEL MOSFET,DFN5060-C | 60 V | 190A（Tc） | 6V，10V | 0 - 立即发货 | $6.50 | 查看详情 |
发布日期： 2026-04-13
