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采用 PDFN5060-8D 封装的 MCACD8D5N06YL-TP 双 N 沟道 MOSFET 阵列
MCC 60 V、50 A 双 N 沟道 MOSFET 阵列以更小的 PCB 占用面积提供高效的电源开关
Micro Commercial Components (MCC) MCACD8D5N06YL-TP 是一款高效的双 N 沟道 MOSFET 阵列，采用紧凑型 PDFN5060-8D 表面贴装封装。该器件旨在优化空间和性能，集成了两个匹配的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻 (8.5 mΩ) 和强大的电流处理能力 (50 A)，为设计人员提供了一种简化且高密度的现代电源系统解决方案。MCACD8D5N06YL-TP 具有 60 V 额定漏源电压和高达 50 A 的连续电流 (TC)，可为消费类、工业和汽车相关电路中的电源转换、负载开关和电机控制应用提供出色的传导性能、高效的散热特性和可靠的开关性能。
特性
- 双 N 沟道 MOSFET 阵列在单个封装内提供两个电源开关元件，为紧凑型设计减少了元器件数量并节省了 PCB 空间
- 经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术降低了开关损耗并提高了效率
- VGS = 10 V 时具有 8.5 mΩ（最大值）的低导通电阻，最大限度减少了传导损耗并提高了系统效率
- 60 V 额定漏源电压 (VDS) 适用于中等电压功率级和多功能系统拓扑结构
- 高达 50 A 的连续漏极电流 (TC) 和 56 W 功率能力可满足严苛的电流需求并支持稳健运行
- PDFN5060-8D 表面贴装封装可实现高密度电路板布局并具有强大的散热性能
- 符合 RoHS 指令，且不含卤素，符合全球环境标准和绿色制造倡议
应用
- DC-DC 转换器
- 电源管理系统中的负载开关
- 电机控制驱动器
- 电信电源
- 消费类和工业电源转换系统
MCACD8D5N06YL-TP Dual N-Channel MOSFET Array in PDFN5060-8D Package
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCACD8D5N06YL-TP | N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D | 60V | 50A（Tc） | 8.5 毫欧 @ 20A，10V | 5000 - 立即发货 | $3.36 | 查看详情 |
发布日期： 2026-04-08
