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采用 DFN3333-8(SWF) 封装的 100 V N 沟道 MOSFET
MCC MOSFET 专为在空间受限的电源设计中实现高效开关和稳健运行而设计
Micro Commercial Components (MCC) MCGWF018N10YLQ-TP 高性能 100 V N 沟道 MOSFET 采用紧凑的 DFN3333-8(SWF) 表面贴装封装，专为在空间受限的电源设计中实现高效开关和稳健运行而设计。该器件具有 0.018 Ω（最大值）的超低 RDS(ON)（VGS = 10 V 时）和 40 A 的连续漏极电流额定值，为 DC/DC 转换器、负载开关和电源管理电路等严苛的应用提供了出色的传导性能和热性能。
特性
- 低导通电阻 RDS(ON)（VGS = 10 V 时，最大值仅 0.018 Ω）最大限度减少了传导损耗并提高了系统整体效率
- 经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术降低了开关损耗并提高了效率
- 在 VGS = 4.5 V 时保持 0.023Ω（最大值）的低 RDS(ON)，支持逻辑电平驱动应用
- 100 V 漏源电压 (VDS) 额定值，适用于中压电源系统
- 40 A 的连续漏极电流提供了强大的电流处理能力
- 紧凑型 DFN3333-8(SWF) 封装支持高密度电路板设计和高效散热
- 符合 RoHS 指令，且不含卤素，符合全球环境标准和绿色制造倡议
- DFN3333-8(SWF) 封装使设计人员能够在尽可能小的封装内实现最大的元器件密度和可靠的性能。其侧面可润湿侧翼技术提高了自动光学检查 (AOI) 的可靠性，进而提高了装配质量和良率
应用
- DC/DC 转换器
- 电源管理系统中的负载开关
- 电机驱动控制
- 电信电源
- 消费类和工业电源控制电路
- 汽车电源管理
100 V N-Channel MOSFET in a DFN3333-8(SWF) Package
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCGWF018N10YLQ-TP | N-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF) | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 100 V | 10000 - 立即发货 | $2.72 | 查看详情 |
发布日期： 2026-04-15
