采用 DFN5060 封装的 MCAC4D4N04YL-TP 40 V N 沟道 MOSFET
MCC 40 V、4.4 mΩ N 沟道 MOSFET 是超紧凑型、大电流开关的理想选择
Micro Commercial Components MCAC4D4N04YL-TP 是一款采用小型 DFN5060 封装的高性能 N 沟道 MOSFET。该器件具有 4.4 mΩ 的极低导通电阻,可为最严苛的空间受限型应用提供无与伦比的功率密度和效率。
特性
- 采用经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术,实现了低导通电阻和高开关速度
- 在 VGS = 10 V 时,导通电阻 RDS(ON) 低至 4.4 mΩ(最大值),最大限度减少了传导损耗,降低了发热量,并提高了系统整体效率
- 符合 RoHS 指令,且不含卤素,符合全球环境标准和绿色制造倡议
- 40 V 漏源电压 (VDS) 额定规格提供了充足的裕量,足以应对采用标准 12 V 电池系统的应用中的电压尖峰和瞬时振荡
- +2.97°C/W 的低结壳热阻有助于改善热传递并支持在更高功率条件下稳定运行。
- 最大结温 TJ (max.) 可达 +175°C,适用于重工业应用
- DFN5060 封装专为空间受限和散热要求高的应用而设计
应用
- 开关电源
- DC/DC 转换器
- BMS
- 工业电机驱动和控制
- 配电和固态继电器
MCAC4D4N04YL-TP 40 V N-Channel MOSFET in DFN5060 Package
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCAC4D4N04YL-TP | N-CHANNEL MOSFET,DFN5060 | 9990 - 立即发货 | $1.44 | 查看详情 |
发布日期: 2026-01-28


