采用 DFN5060 封装的 MCAC4D4N04YL-TP 40 V N 沟道 MOSFET

MCC 40 V、4.4 mΩ N 沟道 MOSFET 是超紧凑型、大电流开关的理想选择

采用 DFN5060 封装的 MCC (Micro Commercial Components)
MCAC4D4N04YL-TP 40 V N 沟道 MOSFET 图片 Micro Commercial Components MCAC4D4N04YL-TP 是一款采用小型 DFN5060 封装的高性能 N 沟道 MOSFET。该器件具有 4.4 mΩ 的极低导通电阻,可为最严苛的空间受限型应用提供无与伦比的功率密度和效率。

特性
  • 采用经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术,实现了低导通电阻和高开关速度
  • 在 VGS = 10 V 时,导通电阻 RDS(ON) 低至 4.4 mΩ(最大值),最大限度减少了传导损耗,降低了发热量,并提高了系统整体效率
  • 符合 RoHS 指令,且不含卤素,符合全球环境标准和绿色制造倡议
  • 40 V 漏源电压 (VDS) 额定规格提供了充足的裕量,足以应对采用标准 12 V 电池系统的应用中的电压尖峰和瞬时振荡
  • +2.97°C/W 的低结壳热阻有助于改善热传递并支持在更高功率条件下稳定运行。
  • 最大结温 TJ (max.) 可达 +175°C,适用于重工业应用
  • DFN5060 封装专为空间受限和散热要求高的应用而设计
应用
  • 开关电源
  • DC/DC 转换器
  • BMS
  • 工业电机驱动和控制
  • 配电和固态继电器

MCAC4D4N04YL-TP 40 V N-Channel MOSFET in DFN5060 Package

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N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
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发布日期: 2026-01-28