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每一次开关都推动未来发展
Infineon 栅极驱动器 IC 与电源开关的绝配
Infineon 提供全面的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合，具有各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是对 Infineon IGBT 分立器件和模块、硅 MOSFET（CoolMOS™、OptiMOS™ 和 StrongIRFET™）和碳化硅 MOSFET (CoolSiC™)、氮化镓 HEMT (CoolGaN™) 的补充，或作为集成电源模块的组成部分（ CIPOS™ IPM 和 iMOTION™ 智能 IPM）。
- 电动汽车充电
- 无绳电动工具 / 机器人 / LEV
- 热泵
- 资源
随着电动汽车的发展，需要快速直流电动汽车充电器来实现高效充电。直流充电器的充电速度比标准交流充电器更快。一个 150 kW 的直流充电器可以在 15 分钟内为电动汽车充电 200 公里。Infineon 在电动汽车和电源方面拥有专业知识，是推动直流电动汽车技术发展的天然合作伙伴。
推荐的栅极驱动器
| 应用 | 电压等级 (V) | 配置 | 产品 | 拉/灌电流典型值 | 封装 | 说明 | 合适的电源开关和模块 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DC-DC (<22 kw) |
600 V | 高压侧和低压侧 | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | 用于大功率和快速开关频率的大电流 | CoolMOS™ MOSFET IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD CoolSIC™ MOSFET IMZ120R030M1H IMZA120R040M1H CoolSIC™ 肖特基二极管 IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™ 模块 FF33MR12W1M1H (P)_B11 F4-33MR12W1M1H(P)_B11 FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
| 650 V | 2ED2110S06M | 2.5/2.5 A | DSO-16 300 mil | Infineon SOI、集成 BSD、快速电平位移、关断、独立 VSS/COM | |||
| 650 V | 22ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | Infineon SOI、集成 BSD、HIN、LIN | |||
| 2300 V | 1 通道，隔离 | 1ED3125MU12F | 10/9 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact，米勒钳位 | ||
| 1200 V | 高压侧和低压侧 | IR2213S | 2/2.5 A | DSO-16 300 mil | 关断和独立电源 | ||
| 1200 V | 半桥 | IR2214SS | 2/3 A | SSOP-24 | DESAT、软关断、两阶段开启、故障报告、同步 | ||
| DC-DC (<50 kw) |
2300 V | 1 通道，隔离 | IED3124MU12F | 13.5/14 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact，带独立输出 | CoolMOS™ MOSFET IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD CoolSIC™ MOSFET IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H CoolSIC™ 肖特基二极管 IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™ 模块 FF8MR12W1M1H(P)_B11 FF17MR12W1M1H(P)_B11 FF11MR12W2M1H(P)_B11 F4-17MR12W1M1H(P)_B11 |
| 1200 V | 2 通道，隔离 | 2EDR8259H | 4/8 A | PG-DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDI，增强隔离 | ||
| 2300 V | 1 通道，隔离 | 1ED3122MC12H | 10/9 A | PG-DSO-8-66 | EiceDRIVER™ X3 Compact，米勒钳位 | ||
| 直流-直流 (<150kW) | 2300 V | 1ED3124MC12H | 13.5/14 A | DSO-8 300mil | EiceDRIVER™ X3 Compact，带独立输出 | CoolMOS™ MOSFET IPW60R018CFD7 CoolSIC™ MOSFET IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H CoolSIC™ 肖特基二极管 IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™ 模块 FF4MR12W2M1H(P)-B11 F4-11MR12W2M1H(P)_B11 FF4MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
| 1ED3321MC12N | 6/8.5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 增强型 1ED-f3，具有 DESAT、软关断和米勒钳位 | ||||
| 1ED3890MC12M | 7.5/11 A | DSO-16 细间距 | EiceDRIVER™ 增强型 X3 数字，具有 I2C 可配置性、DESAT、软关断和米勒钳位 | ||||
| 单端升压 PFC | 25 V | 1 通道，非隔离 | 1ED4417N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-5 | 启用，可编程故障清除时间 UVLO | CoolMOS™ MOSFET P7 IPW60R037P7 IPW60R024P7 650 V TRENCHSTOP™5 H5IGBT IKW50N65EH5 650 V TRENCHSTOP™5 WR6 IKWH40N65WR6 IKWH50N65WR6 1200 V CoolSIC™ MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H 1200 V TRENCHSTOP™ 7 H7 IKW50N120CH7 CoolSiC™ 二极管 IDWD30G120C5 IDWD40G120C5 |
| 1ED44175N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-6 | 快速、准确 (±5%) OCP、故障报告、使能、负电流检测 | ||||
| 1ED44176N01F | 0.8/1.75 A | DSO-8 | 快速、准确 (±5%) OCP、故障报告、使能、正电流检测、独立的 VSS/COM | ||||
| IES44273L | 1.5/1.5 A | SOT23-5 | 额外的 OUT 引脚 | ||||
| 200 V | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | 具有 ± 80 V 静态接地偏移稳健性的真正差分输入 | |||
| 交错升压 PFC | 22 V | 2 通道非隔离 | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | 2 ns 延迟匹配，19 ns 传播延迟 | |
| 25 V | IRS4427S | 2.3/2.3 A | DSO-8 | 匹配的传播延迟 | |||
| 图腾柱 PFC | 650 V | 高压侧和低压侧 | 2ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | Infineon SOI、集成 BSD、HIN、LIN | 600 V CoolMOS™ MOS CFD 7 MOSFET IPP60R070CFD7 IPP60R280CFD7 IPT60R035CFD7 650 V CoolSIC™ 混合分立 IKW40N65RH5 IKW50N65RH5 IKW75N65RH5 IKW50N65SS5 IKW75N65SS5 EasyPACK™ IGBT 模块 FS100R12W2T7 |
| 1200 V | 2 通道，隔离 | 2EDB8259F | 4/8 A | DSO-16 | 具有基本隔离功能的 EiceDRIVER™ 2EDI (3k V UL1577) | ||
| 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | 具有基本隔离功能的 EiceDRIVER™ 2EDI (3k V UL1577) | ||||
| 维也纳整流器和 NPC2 | 22 V | 2 通道非隔离 | 2EDN7534F | 5/5 A | DSO-8 | 2ns 延迟匹配，19ns 传播延迟 | 650 V CoolMOS™ C7 MOSFET IPP65R045C7 IPW65R019C7 IPL65R070C7 600 V CoolMOS™ P7 MOSFET IPP60R060P7 IPW60R024P7 650 V TRENCHSTOP™5 H5 IKW75N65EH5 1200 V CoolSIC™ 肖特基二极管 IDW40G120C5B CoolSIC™ 模块 F3L11MR12W2M1H_B19 F3L11MR12W2M1HP_B19 F3L8MR12W2M1H_B11 F3L8MR12W2M1HP_B11 |
| 1200 V | 1 通道，隔离 | 1EDB6275F | 5/9 A | DSO-8 | 具有基本隔离功能的 EiceDRIVER™ 1EDB (3k V UL1577) | ||
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6.5 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact，带独立输出 | |||
| 三相全桥 | 2300 V | 1 通道，隔离 | 1ED3461MC12N | 7.5/5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 增强型 X3 模拟，具有可调 DESAT、软关断和米勒钳位 | CoolSiC™ 模块 FS13MR12W2M1HPB11 |
| 1ED3321MC12N | 6/8.5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 增强型 1ED-F3，具有可调 DESAT、软关断和米勒钳位 |
数百万家庭依靠电动工具来完成日常工作。消费者需要价格低廉且电池寿命长的坚固、可靠、便携的工具。Infineon 的创新产品组合提供安全功能，满足消费者对所有电动工具应用的需求，同时降低成本。
推荐用于低压驱动和电池供电应用的栅极驱动器
| 应用 | 栅极驱动器电压等级 (V) | 配置 | 产品 | 拉/灌电流典型值 | 封装 | 说明 | 合适的电源开关和模块 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 电机逆变器/ BLDC | 60 V | 三相 | 6EDL7141 | 1.5/1.5 AV | VQFN-48 7x7mm | 完全可编程的集成电源和电流检测放大器 | StrongIRFET™ MOSFET IRF7480M IRF6726M StrongIRFET™ 2 MOSFET IPP016N08NF2S IPP026N10NF2S 30 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSZ0500NSI BSC009NE2LS5 40 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC019N04LS BSZ028N04LS 60 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC012N06NS IPT007N06N 80 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC021N08NS5 IPT010N08NM5 100 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC027N10NS5 IPT015N10N5 150 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC074N15NS5 |
| 160 V | 高压侧和低压侧 | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10 3x3mm | Infineon SOI、集成 BSD、独立 VSS/COM、导热垫 | ||
| 160 V | 三相 | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32 5x5mm | Infineon SOI、集成 BSD、PMU、涓流充电泵、可编程 OCP 和电流检测放大器、RFE | ||
| 160 V | 半桥 | 2ED2748S01G | 4/8 A | DFN10 3x3mm | Infineon SOI、集成 BSD、独立 VSS/COM、导热垫 | ||
| 200 V | 1 通道，非隔离 | 1EDN7550B | 4/8 A | SOT23-6 | 真正的差分输入，具有 ± 80 V 静态接地偏移稳健性 | ||
| 200 V | 三相 | 6ED003L02-F2 | 0.165/ 0.375 A | TSSOP-28 | Infineon SOI、OCP、使能、故障报告 | ||
| 200 V | 6EDL04N02PR | 0.165/ 0.375 A | Infineon SOI、集成 BSD、OCP、使能、故障报告 | ||||
| 200 V | 高压侧和低压侧 | IRS2005S | 0.29/0.6 A | DSO-8 | VCC & VBS UVLO，匹配传播延迟 | ||
| 200 V | 半桥 | IRS2007S | 0.29/0.6 A | VCC & VBS UVLO，匹配传播延迟 | |||
| 200 V | 高压侧和低压侧 | IRS2011S | 1/1 A | 60 ns 传播延迟，VCC 和 VBS UVLO | |||
| 600 V | 半桥 | 2EDL05N06PF | 0.36/0.7 广告 | Infineon SOI，集成 BSD | |||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 2.3/2.8 A | DSO-14 | Infineon SOI、集成 BSD、OCP、使能、故障报告 | |||
| 600 V | 三相 | 6EDL04N06PT | 0.165/ 0.375 A | DSO-28 300 mil | Infineon SOI、集成 BSD、OCP、使能、故障报告 | ||
| 600 V | 高压侧和低压侧 | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | 高功率的高电流和低 UVLO (6 V/5.5 V) 的快速开关频率 | ||
| 电池充电器 | 22 V | 1 通道，非隔离 | 1EDN8511B | 4/8 A | SOT23-6 | 独立输出，19 ns 传播延迟 | CoolMOS™ MOSFET IPW60R070CFD7 IPAN60R125PFD7S CoolMOS™ MOSFET P7 IPA80R900P7 IPA60R180P7S 650 V CoolSiC™ MOSFET IMW65R048M1H IMZA65R072M1H CoolSiC™ 二极管 IDH10G65C6 IDW20G65C5B OptiMOS™ 5 IPA083N10N5 IPA029N06N |
| 22 V | 2 通道非隔离 | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | 2 ns 延迟匹配，19 ns 传播延迟 | ||
| 25 V | 1 通道，非隔离 | 1ED44171N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-5 | 使能，可编程故障清除时间，UVLO | ||
| 25 V | 1ED44175N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-6 | 快速、准确 (±5%) OCP、故障报告、使能、负电流检测 | |||
| 25 V | IRS44273L | 1.5/1.5 A | SOT23-5 | 额外的 OUT 引脚 | |||
| 600 V | 高压侧和低压侧 | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | 用于大功率和快速开关频率的大电流 | ||
| 650 V | 2ED2106S06F | 0.29/0.7 A | Infineon SOI、集成 BSD、HIN、LIN | ||||
| 650 V | 2ED2110S06M | 2.5/2.5 A | DSO-16 300 mil | Infineon SOI、集成 BSD、快速电平位移、关断、独立 VSS/COM | |||
| 650 V | 2ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | Infineon SOI、集成 BSD、HIN、LIN |
推荐用于轻型电动汽车 (LEV) 的栅极驱动器
| 应用 | 栅极驱动器电压等级 (V) | 配置 | 产品 | 拉/灌电流典型值 | 封装 | 说明 | 合适的电源开关和模块 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 电机逆变器 <3kW（<48V 电池） | 60 V | 三相 | 6EDL7141 | 1.5/1.5 A | VQFN-48 7x7 mm | 完全可编程的集成电源和电流检测放大器、压摆率控制、保护功能 | 60 V StrongIRET™ IRFS753060 IRF60SC241 60 V OptoMOS™ 5 MOSFET IPTG007N06NM5 IPB01N06N IST011N06NM5 BSC012N06NS 75 V STrongIRFET™ IRFB7730 BSC036NE7NS3G |
| 160 V | 高压侧和低压侧 | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10 3x3 mm | SOI、集成 BSD、UVLO、独立 VSS/COM、导热垫 | ||
| 160 V | 三相 | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32, 5x5 mm | SOI、集成 BSD、PMU、100% DC 带有涓流充电泵，可编程 OCP 带有选择增益、CS 放大器、RFE | ||
| 200 V | 三相 | 6EDL04N02PR | 0.165/0.375 A | TSSOP-28 | Infineon SOI、集成 BSD、OCP、启用故障报告 | ||
| 200 V | 高压侧和低压侧 | IRS2005 | 0.29/0.6 A | DSO-8 | UVLO、MTON/OFF、最大 50ns、3.3V-15V 输入 | ||
| 200 V | 高压侧和低压侧 | IRS2011S | 1/1 A | DSO-8 | UVLO、MTON/OFF、最大 20ns、3.3V-15V 输入 | ||
| 600 V | 高压侧和低压侧 | 2EDL05N06PF | 0.36/0.7 A | DSO-8 | SOI、UVLO、MTON/OFF，最大 60ns，3.3-15 V 输入，BSD | ||
| 600 V | 三相 | 6EDL04N06PF | 0.165/0.375 A | DSO-28 300 mil | Infineon SOI、集成 BSD、OCP、使能、故障报告 | ||
| 600 V | 单高压侧 | IRS21271S | 0.2/0.42 A | DSO-8 | UVLO、OCP，3-15V 输入，故障报告 | ||
| 电机逆变器 3-10kW（48-96 V 电池） | 160 V | 高压侧和低压侧 | 2ED2738S01G | 4.8 A | DFN10 3x3 mm | SOI、集成 BSD、UVLO、独立 VSS/COM、导热垫 | 80 V OptiMOS™5 MOSFET IPT010N08NM5 IPTG011N08NM5 IPB015N08N5 BSC019N08NS5 IST019N08NM5 100 V IR MOSFET™ IRLS4030 IRF100B201 100 V StrongIRFET™ 2 IPP026N10NF2S IPA030N10NF2S 100V OptiMOS™5 MOSFET IPTG014N10NM5 IPTG018N10NM5 IPTC015N10NM5 IPB017N10N5 IST026N10NM5 BCS027N10NS5 100V OptiMOS™6 MOSFET ISC022N10NM6 |
| 200 V | 10 通道非隔离 | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | 真正的差分输入，具有 ± 80 V 静态和 ± 150 V 动态接地偏移稳健性，独立的 SRC/SNK 输出引脚。 | ||
| 500 V | 高压侧和低压侧 | IRS2110S | 2/2 A | DSO-16 W | MTON/OFF，最大 10NS，独立电源和逻辑接地，SD 引脚，3-20V 输入 | ||
| 600 V | 高压侧和低压侧 | 2EDL23N06PJ | 2.3/2.8 A | DSO-14 | 3.3 V-15 V 输入，-100 V 瞬态，PGND，SOI 集成 BSD，OCP，UVLO，使能，故障报告 | ||
| 600 V | 高压侧和低压侧 | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | 3-5 V 输入，MTON/OFF，最大 35ns，UVLO，负。瞬态稳健 | ||
| 650 V | 高压侧和低压侧 | 2ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | SOI，集成 BSD，3.3-15V 输入，MTON/OFF，最大 35ns，-100V 瞬态 | ||
| 650 V | 高压侧和低压侧 | 2ED21814S06J | 2.5/2.5 A | DSO-14 | SOI，集成 BSD；3.3-15V 输入，MTON/OFF，最大=35ns，-100V 瞬态，独立逻辑 | ||
| 电机逆变器 >10 kW（>96 V 电池） | 1200 V | 1 通道，隔离 | 1EDB8275F | 5/9 A | DSO-8 | 3kV 基本隔离，带有CT 技术。(ul1577)，独立 SRC/SNK 输出，UVLO（4 种类型），CMTI >300 V/ns | 150 V IR MOSFET™ MOSFET IRFB4115 150 V OptiMOS™ 5 MOSFET IPB044N15N5 IPT039N15N5 200 V StrongIRFET™ IRF200S234 200 V OptiMOS™ 3 MOSFET IPB107N20N3G IPTG111N20NM3FD |
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6.5 A | EiceDRIVER™ X3 Compact，带独立输出 | ||||
| 1200 V | 2 通道，隔离 | 2EDB8259F | 5/9 A | DSO-16 | 3kV 基本隔离，带有CT 技术 (UL1577)。死区时间控制 (DTC) 和 STP、UVLO（4 种类型）、CMTI >150V/ns | ||
| 1200 V | 2 通道，隔离 | 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | 3kV 基本隔离，带有CT 技术 (UL1577)。死区时间控制 (DTC) 和 STP、UVLO（4 种类型）、CMTI >150V/ns | ||
| 2300 V | 1 通道，隔离 | 1ED3121MC12H | 5.5/5.5 A | DSO-8 300 mil | EiceDRIVER™ X3 Compact，带独立输出 |
Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 系列提供高功率效率，有助于减少二氧化碳排放引起的全球变暖。它们具有高抗噪性和稳健性，易于使用；凭借 DESAT 保护、有源米勒钳位、压摆率控制和 I2C 数字可配置性等功能，EiceDRIVER™ 栅极驱动器已广泛用于各种功率级别的逆变器和热泵 PFC。
按方法分类的热泵类别 - 3 个主要系统
热泵系统典型框图
用于电机驱动应用的栅极驱动器 IC
推荐的栅极驱动器 IC（热泵 – 逆变器）
| 栅极驱动器电压等级 (V) | 产品 | 技术 | 通道数量 | UVLO 开/关典型值 [V] | 驱动电流 Io+/lo- 典型值 [A] | 传播延迟关闭/开启典型值 [ns] | 特性 | 封装 | 合适的电源开关和模块 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 600 V | 6EDL04I06PT | SOI | 6 类 | 11.7/9.8 | 0.165/0.375 | 490/530 | 内置阴极负载二极管；过流保护；使能引脚；故障报告；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-28WB | 600 V RC-D2 IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 650 V TRENCHSTOP™ IGBT6 IKA10N65ET6 IKA15N65ET6 600 V TRENCHSTOP™ IKA10N60T IKA15N60T 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 T7 IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 600 V | 6EDL04N06P | 9.0/8.1 | 0.165/0.375 | 530/530 | |||||
| 1200 V | 6ED2230S12T | 11.4/10.4 | 0.35/0.65 | 600/600 | 内置阴极负载二极管；过流保护；击穿保护；使能引脚；故障报告；可编程故障清除时间；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-24 | 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 1200 V CoolSiC™ MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 1200 V | 6ED2231S12T | 12.2/11.3 | 0.35/0.65 | 600/600 | |||||
| 650 V | 2ED2304S06F | SOI | 2 | 9.1/8.3 | 0.36/0.7 | 300/310 | 内置阴极负载二极管；击穿保护 | DSO-8 | 600 V RC-D2 IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 650 V TRENCHSTOP™ IGBT6 IKA10N65ET6 IKA05N65ET6 600 V TRENCHSTOP™ IKA10N60T IKA15N60T 650 V TRENCHSTOP™ IGBT T7 IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 2ED2104S06F | 8.9/8.0 | 0.29/0.70 | 90/90 | 内置阴极负载二极管；击穿保护；关断输入 | |||||
| 2ED2184S06F | 9.1/8.2 | 2.5/2.5 | 200/200 | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9.1/8.3 | 2.3/2.8 | 300/310 | 内置阴极负载二极管；过流保护；击穿保护；启用，故障报告；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-14 | |||
| 2EDL23I06PJ | 12.5/11.6 | 2.3/2.8 | 400/420 | ||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 500/500 | 内置阴极负载二极管；有源米勒钳位；短路钳位；过流保护；击穿保护；使能引脚；可编程故障清除时间；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-20DW | 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT S7 IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 1200V CoolSiC™ MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 2ED1322S12M | 12.2/11.3 | 2.3/4.6 | 350/350 | 内置阴极负载二极管；过流保护；击穿保护；使能引脚；故障报告；可编程故障清除时间；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-16 | ||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | 空心变压器 | 1 | 9.1/8.5 | 4.0/3.5 | 120/115 | 独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-8 150 mil | 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 IKW40N120CH7 |
| 1EDI60I12AF | 12.0/11.1 | 10.0/9.4 | 300/300 | ||||||
| 1EDI20I12MF | 12.0/11.1 | 4.4/4.1 | 300/300 | 有源米勒钳位；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | |||||
| 2EDO2OI12-FI | 2 | 12.0/11.0 | 1.5/2.5 | 85/85 | 用于 OCP 的运算放大器和比较器 | DSO-18 | |||
| 2300 V | 1ED312OMU12H | 1 | 10.0/8.0 | 5.5/5.5 | 90/90 | UL1577 认证；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-8 300 mil | ||
| 1ED3240MC12H | 11.8/10.8 | 10.0/10.0 | 110/110 | 两级压摆率控制；VDE0844-11（加强型）；UL1577 认证；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | |||||
| 1ED3122MC12H | 10.0/8.0 | 10.0/9.0 | 90/90 | UL1577 认证；有源米勒钳位；用于逻辑接地的单独引脚 | |||||
| 1ED3140MU12F | 9.3/8.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | UL1577 认证；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-8 150 mil | ||||
| 1ED3142MU12F | 13.6/12.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | UL1577 认证；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | |||||
| 1ED3321MC12N | 13.6/12.55 | 6/8.5 | 85/85 | UL1577 和 VDE-11 认证；有源米勒钳位；DESAT 和软关断 | DSO-16 300 mil |
推荐的栅极驱动器 IC（热泵 - PFC）
| 栅极驱动器电压等级 (V) | 产品 | PFC 类型 | 技术 | 通道数量 | UVLO 开/关典型值 [V] | 驱动电流 Io+/lo- 典型值 [A] | 传播延迟关闭/开启典型值 [ns] | 特性 | 封装 | 合适的电源开关和模块 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 25 V | IRS4427S | 升压 PFC | 双低压侧 | 2 | - | 2.3/3.3 | 65/85 | DSO-8 | 650 V TRENCHSTOP™ 5 WR6 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 IKWH40N65WR6XKSA1 RAPID 1 二极管 IDW30C65D1 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 IKW40N120CH7 IKW40N120CH7XKSA1 EasyPIM™ 模块 (IGBT) FB50R07W2E3_B23 FB50R07W2E3_C36 |
|
| 24 V | 2ED24427N01F | 11.5/10.0 | 10.0/10.0 | 40/55 | DSO-8，带电源垫 | |||||
| 25 V | 1ED44171N01B | 单低压侧 | 1 | 11.9/11.4 | 2.6/2.6 | 50/50 | SOT-23-5 | |||
| 1ED44176N01F | 11.9/11.4 | 0.8/1.75 | 50/50 | DSO-8 | ||||||
| 1ED44173N01B | 8.0/7.3 | 2.6/2.6 | 34/34 | SOT-23-6 | ||||||
| 1ED44175N01B | 11.9/11.0 | 2.6/2.6 | 50/50 | |||||||
| 650 V | 2ED2304S06F | 图腾柱 PFC | SOI | 2 | 9.1/8.3 | 0.36/0.7 | 300/310 | 内置阴极负载二极管；击穿保护 | DSO-8 | 650 V TRENCHSTOP™ 5 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 |
| 2ED2104S06F | 8.9/8.0 | 0.29/0.7 | 90/90 | 内置阴极负载二极管；击穿保护；关断输入 | ||||||
| 2ED2184S06F | 9.1/8.2 | 2.5/2.5 | 200/200 | 内置阴极负载二极管；击穿保护；关断输入 | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9.1/8.3 | 2.3/2.8 | 300/310 | 内置阴极负载二极管；过流；击穿保护；使能引脚；故障报告；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-14 | ||||
| 2EDL23I06PJ | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 400/420 | |||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 500/500 | 内置阴极负载二极管；有源米勒钳位；过流保护；击穿保护；使能引脚；故障报告；可编程故障清除时间；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-20DW | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7 IKW40N120CH7XKSA1 |
|||
| 2ED1322S12M | 12.2/11.3 | 2.3/4.6 | 350/350 | 内置阴极负载二极管；过流保护；击穿保护；使能引脚；可编程故障清除时间；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-16 | |||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | 空心变压器 | 1 | 9.1/8.5 | 4.0/3.5 | 12/115 | 独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-8 150 mil | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7 IKW40N120CH7XKSA1 EasyPIM™ 模块 (IGBT) FP25R12W1T7_B11 FP35R12W2T7_B11 FP50R12W2T7_B11 FP35R12N2T7_B11 FP50R12N2T7_B11 FS55MR12W1M1HB11NPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 | |
| 1EDI60I12AF | 12.0/11.1 | 1.0/9.4 | 300/300 | |||||||
| 1EDI20I12MF | 12.0/11.1 | 4.4/4.1 | 有源米勒钳位；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | |||||||
| 2ED020I12-FI | 2 | 12.0/11.0 | 1.5/2.5 | 85/85 | 用于 OCP 的 OPAMP 和比较器 | DSO-8 150 mil | ||||
| 2300 V | 1ED3120MU12H | 1 | 10.0/8.0 | 5.5/5.5 | 90/90 | UL1577 认证；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-18 | |||
| 1ED3122MU12H | 10.0/8.0 | 10.0/9.0 | UL1577 认证；有源米勒钳位；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-8 300 mil | ||||||
| 1ED3140MU12F | 9.3/8.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | UL1577 认证；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | ||||||
| 1ED3142MU12F | 13.6/12.55 | UL1577 认证；独立的漏极/源极输出；用于逻辑接地的单独引脚 | DSO-8 150 mil | |||||||
| 1ED3321MC12N | 13.6/12.55 | 6/8.5 | 85/85 | UL1577 和 VDE-11 认证；有源米勒钳位； DESAT 和软关断 | DSO-16 300 mil |
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