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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-F411MR12W2M1HPB76BPSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | F411MR12W2M1HPB76BPSA1 |
描述 | MOSFET |
原厂标准交货期 | 35 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 60A 底座安装 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | F411MR12W2M1HPB76BPSA1 型号 |
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10.8 毫欧 @ 75A，18V |
制造商 Infineon Technologies | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.15V @ 30mA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 223nC @ 18V |
包装 托盘 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6600pF @ 800V |
零件状态 在售 | 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ） |
技术 碳化硅（SiC） | 安装类型 底座安装 |
配置 4 个 N 通道 | 封装/外壳 模块 |
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV） | 基本产品编号 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A |
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| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $273.80000 | $273.80 |
| 18 | $225.45167 | $4,058.13 |
| 36 | $218.61694 | $7,870.21 |
| 不含 VAT 单价: | $273.80000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $298.44200 |
