IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | 分立半导体产品

IPTG111N20NM3FDATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPTG111N20NM3FDATMA1
描述	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 200 V 10.8A（Ta），108A（Tc） 3.8W（Ta），375W（Tc） PG-HSOG-8-1
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPTG111N20NM3FDATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 3
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	Digi-Key 停止提供
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.8A（Ta），108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.1 毫欧 @ 96A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7000 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOG-8-1
封装/外壳	8-PowerSMD，鸥翼
基本产品编号	IPTG111N