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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMW65R048M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R048M1HXKSA1 |
描述 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 39A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3-41 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R048M1HXKSA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 不适用于新设计 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 64 毫欧 @ 20.1A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 6mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +23V，-5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1118 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO247-3-41 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 412
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $13.74000 | $13.74 |
| 30 | $8.08433 | $242.53 |
| 120 | $6.84233 | $821.08 |
| 510 | $5.93273 | $3,025.69 |
| 1,020 | $5.78798 | $5,903.74 |
| 不含 VAT 单价: | $13.74000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $14.97660 |
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