通孔 N 通道 650 V 20A（Tc） 75W（Tc） PG-TO247-3-41
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IMW65R107M1HXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IMW65R107M1HXKSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IMW65R107M1HXKSA1
描述
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 20A（Tc） 75W（Tc） PG-TO247-3-41
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IMW65R107M1HXKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
142 毫欧 @ 8.9A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
496 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-41
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IMW65R107
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$8.83000$8.83
30$5.04800$151.44
120$4.21417$505.70
510$3.65459$1,863.84
制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$8.83000
含 VAT 单价:$9.62470
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