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TK125N60Z1,S1F
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TK28N65W,S1F

DigiKey 零件编号
TK28N65WS1F-ND
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
TK28N65W,S1F
描述
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 27.6A（Ta） 230W（Tc） TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
TK28N65W,S1F 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
230W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TK28N65
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510$4.86402$2,480.65
制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$10.96000
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