IXKH35N60C5 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


onsemi
现货: 446
单价: $11.48000
规格书

直接


onsemi
现货: 360
单价: $12.61000
规格书

类似


onsemi
现货: 411
单价: $10.26000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $2.77892
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 93
单价: $8.38000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $4.27254
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 458
单价: $8.87000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 227
单价: $15.72000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $10.27000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 30
单价: $9.44000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: $11.91000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 31
单价: $14.21000
规格书
通孔 N 通道 600 V 35A(Tc) TO-247AD
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IXKH35N60C5

DigiKey 零件编号
238-IXKH35N60C5-ND
制造商
制造商产品编号
IXKH35N60C5
描述
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 35A(Tc) TO-247AD
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
100 毫欧 @ 18A,10V
制造商
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1.2mA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
包装
管件
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
停产
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2800 pF @ 100 V
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-247AD
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (12)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FCH104N60Fonsemi446FCH104N60F-ND$11.48000直接
FCH110N65F-F155onsemi360FCH110N65F-F155-ND$12.61000直接
FCH104N60F-F085onsemi411FCH104N60F-F085OS-ND$10.26000类似
IPW60R120P7XKSA1Infineon Technologies0448-IPW60R120P7XKSA1-ND$2.77892类似
IPW60R125C6FKSA1Infineon Technologies93448-IPW60R125C6FKSA1-ND$8.38000类似
过期
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