SIHG33N65E-GE3 可以购买了，但通常没有现货。
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IRFP254PBF
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SIHG33N65E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHG33N65E-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHG33N65E-GE3
描述
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 32.4A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
173 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4040 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG33
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$6.44436
含 VAT 单价:$7.02435