IXTH32N65X 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IXTH32N65X

DigiKey 零件编号
IXTH32N65X-ND
制造商
制造商产品编号
IXTH32N65X
描述
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 32A(Tc) 500W(Tc) TO-247(IXTH)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
135 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2205 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
封装/外壳
基本产品编号
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