STW36NM60ND 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


STMicroelectronics
现货: 487
单价: $15.99000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 206
单价: $9.71000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 240
单价: $11.68000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 520
单价: $10.92000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 248
单价: $7.72000
规格书

类似


IXYS
现货: 98
单价: $13.10000
规格书

类似


IXYS
现货: 6
单价: $39.98000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $26.21463
规格书

类似


IXYS
现货: 233
单价: $28.62000
规格书

类似


IXYS
现货: 30
单价: $54.54000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $22.84380
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $14.59833
规格书

类似


IXYS
现货: 38
单价: $39.72000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 524
单价: $12.04000
规格书
TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

STW36NM60ND

DigiKey 零件编号
497-13888-5-ND
制造商
制造商产品编号
STW36NM60ND
描述
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 29A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW36NM60ND 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
80.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2785 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
190W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
基本产品编号
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