Toshiba Semiconductor and Storage 单 FET,MOSFET

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
268,228
现货
1 : $0.19000
剪切带(CT)
3,000 : $0.03146
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
3.9 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
66,198
现货
1 : $0.26000
剪切带(CT)
3,000 : $0.04644
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.5V,4.5V
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW(Ta)
150°C(TA)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
151,275
现货
1 : $0.28000
剪切带(CT)
10,000 : $0.04495
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
19,863
现货
1 : $0.31000
剪切带(CT)
8,000 : $0.05693
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
90,849
现货
1 : $0.44000
剪切带(CT)
3,000 : $0.09408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta)
1.8V,10V
42 毫欧 @ 5A,10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V,-6V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
101,757
现货
1 : $0.50000
剪切带(CT)
3,000 : $0.11104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
4V,10V
300 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V,-20V
330 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
47,355
现货
1 : $0.51000
剪切带(CT)
3,000 : $0.09562
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta)
1.8V,10V
42 毫欧 @ 5A,10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
26,646
现货
1 : $0.51000
剪切带(CT)
3,000 : $0.12492
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Ta)
1.8V,8V
22.1 毫欧 @ 6A,8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
288,751
现货
1 : $0.53000
剪切带(CT)
8,000 : $0.08482
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
-
-
±8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
54,034
现货
1 : $0.53000
剪切带(CT)
8,000 : $0.08240
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
39,985
现货
1 : $0.56000
剪切带(CT)
4,000 : $0.13783
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
1.8A(Ta)
1.8V,8V
195 毫欧 @ 1A,8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
553,348
现货
1 : $0.60000
剪切带(CT)
3,000 : $0.10950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Ta)
1.5V,4.5V
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
65,558
现货
1 : $0.62000
剪切带(CT)
3,000 : $0.16810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.5A(Ta)
4V,10V
134 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V,-20V
660 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
276,978
现货
1 : $0.68000
剪切带(CT)
3,000 : $0.13109
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Ta)
1.8V,8V
17.6 毫欧 @ 6A,8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
29,746
现货
1 : $0.68000
剪切带(CT)
3,000 : $0.46451
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Tc)
4.5V,10V
11.4 毫欧 @ 8.5A,10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta),34W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
54,429
现货
1 : $0.72000
剪切带(CT)
3,000 : $0.17273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.5A(Ta)
1.5V,4.5V
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
13,258
现货
1 : $0.82000
剪切带(CT)
3,000 : $0.17978
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.5V,4V
28 毫欧 @ 3A,4V
1V @ 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
6,714
现货
1 : $0.84000
剪切带(CT)
3,000 : $0.19741
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
1.5V,4.5V
15.3 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 1mA
29.9 nC @ 4.5 V
±8V
2600 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 祼焊盘
24,896
现货
1 : $0.85000
剪切带(CT)
3,000 : $0.23222
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
175°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
25,232
现货
1 : $0.88000
剪切带(CT)
3,000 : $0.23652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
3.3V,10V
300 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
10,589
现货
1 : $0.88000
剪切带(CT)
3,000 : $0.19124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
14A(Ta)
-
9.1 毫欧 @ 4A,8V
1V @ 1mA
47 nC @ 4.5 V
-
3350 pF @ 6 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 祼焊盘
18,047
现货
1 : $1.01000
剪切带(CT)
3,000 : $0.23652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4V,10V
20 毫欧 @ 4A,10V
2.2V @ 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V,-25V
1150 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 祼焊盘
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
17,208
现货
1 : $1.15000
剪切带(CT)
3,000 : $0.31595
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.5A(Ta)
4V,10V
134 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V,-20V
660 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
30,734
现货
1 : $1.18000
剪切带(CT)
3,000 : $0.36904
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Tc)
4.5V,10V
11.4mOhm @ 13A,10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW(Ta),61W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
11,962
现货
1 : $1.35000
剪切带(CT)
3,000 : $0.39474
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
34A(Tc)
6V,10V
19 毫欧 @ 17A,10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW(Ta),57W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
显示
/ 1,084

Toshiba Semiconductor and Storage 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。