The EPC EPC91104 is a 3-phase BLDC motor drive inverter board featuring the EPC23104 ePower Stage IC 11 mΩ maximum RDS(ON), 100 V maximum device voltage.

The EPC91118 three-phase inverter from EPC features high-bandwidth control of 100 kHz PWM.

EPC EPC91120 compact three-phase inverters feature an ultra-small two-layer PCB with optimized thermals for in-joint or in-body mounting.

新产品

EPC EPC91107KIT + EPC91110KIT 5 kW GaN AC 至 48 V/50 V 参考解决方案采用 GaN 供电：PFC 拓扑采用 EPC2304（200 V，5 mΩ），LLC 拓扑采用 EPC2305（150 V，3 mΩ）。

EPC EPC23102 ePower™ 功率级 IC 为高功率密度应用提供了更高的性能和更小的解决方案尺寸。

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EPC 的 EPC91109 超紧凑评估板非常适合 USB PD 3.1、笔记本电脑、电池供电设备和高达 180 W 的便携式电子设备。

EPC EPC9196 三相电机驱动逆变器评估板与第三方控制器板兼容，并具有板载电流、电压和温度检测功能。

Advanced GaN reference designs for you!

EPC 的 EPC91116 演示板具有可选的窄脉冲发生器，可简化典型脉冲和函数发生器的操作。

此次网络研讨会将介绍一系列基于 GaN 的联合参考设计，这些设计具有无与伦比的功率输出和热效率，且所需的板空间更小。

采用 PQFN 封装的 EPC GaN FET 非常适合电机驱动、机器人和高性能计算等要求严苛的应用。

EPC EPC91200 是一款三相 BLDC 电机驱动逆变器板，配备 EPC2305 eGaN，最大器件电压为 150 V，适用于 96 V 电池。

电子光学组件是激光雷达的核心，它利用激光脉冲建立周围环境的三维“点云”。

EPC EPC91106 高功率密度、薄型同步降压/升压转换器评估板完整电源转换器解决方案尺寸为 21 毫米 x 13 毫米。

EPC 的 EPC2152 80 V、12.5 A 集成式 ePower™ 是单芯片驱动器和 eGaN® FET 半桥功率级，尺寸为 3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm。

EPC EPC2069 脉冲电流 GaN FET 为设计人员提供了比硅 MOSFET 更小、更高效的设备，适用于高性能、空间受限的应用。

EPC uP1966E 旨在驱动半桥拓扑中的高压侧和低压侧 GaN FET，两个通道的工作频率均为几兆赫兹。

Our experts from Microchip and EPC will provide valuable insights into the technical advantages and practical applications of GaN-based high power density solutions.