EPC

EPC2367 100V 增强模式 eGaN® 功率晶体管

EPC EPC2367 的 100V、101A 增强模式 eGaN 功率晶体管支持高电流运行，并具有高效的散热性能

EPC EPC2367 100 V 增强模式 eGaN® 功率晶体管图片EPC EPC2367 100 V 增强模式 eGaN 功率晶体管经优化，可在高频开关应用中实现超高的效率和功率密度。与硅 MOSFET 相比，EPC2367 具有超低导通电阻、零反向恢复和紧凑的芯片级封装，可实现更小、更快和更高效的功率设计。

特性
  • 高压氮化镓功率晶体管：100 V 增强模式 eGaN FET，支持高频运行和快速瞬态响应
  • 超低导通电阻 RDS(on)：VGS = 5 V 时的典型值为 1.2 mΩ，最大限度降低了传导损耗
  • 零反向恢复：消除反向恢复损失，提高了效率
  • 超低栅极电荷：实现快速开关并降低开关损耗
  • 紧凑型芯片级封装：尺寸仅为 3.3 mm × 3.3 mm，适用于空间受限的高密度设计
  • 优异的热性能：支持高电流运行，并具有高效的散热能力
应用
  • 高频率 DC/DC 转换器
  • 高功率密度 DC/DC 模块
  • 电机驱动
  • 同步整流

EPC2367 100 V Enhancement-Mode eGaN® Power Transistor

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
新产品
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI		EPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI18894 - 立即发货$9.45查看详情
发布日期： 2026-01-19

Related Product Highlight

采用 PQFN 封装的 GaN FET 采用 PQFN 封装的 EPC GaN FET 非常适合电机驱动、机器人和高性能计算等要求严苛的应用。