CoolSiC™ G2 1200 V 碳化硅 MOSFET 分立器件

Infineon 碳化硅 (SiC) CoolSiC MOSFET 采用最先进的沟槽式半导体工艺制造，该工艺经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。这种分立式 CoolSiC MOSFET 产品组合包括 650 V、750 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级，导通电阻额定值从 7 mΩ 至 1000 mΩ 不等。CoolSiC 沟槽技术可实现灵活的参数组合，可在各自的产品组合中实现满足应用特定要求的特性，例如栅源电压、雪崩规格、短路能力或用于硬式整流的内部体二极管。

分立式 CoolSiC 1,200 V G2 MOSFET 目前提供三种不同的封装，均基于第一代技术的优势并进行了重大改进，为成本更优化、更高效、更紧凑、更易于设计和更可靠的系统提供了先进的解决方案。第二代显著提高了硬开关和软开关拓扑的关键品质因数，适用于所有常见的 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 级组合。

有两种 TO-247 4 引脚封装版本（标准 TO-247 4 引脚封装和 TO-247 4 引脚 HC 封装）可供客户根据其设计需求进行选择。TO-247 4 引脚具有增大的爬电距离、细信号引线和开尔文引脚以防止焊料桥接，以及优化的热界面材料 (TIM) 区域以实现卓越的热性能。标准 TO-247-4 封装可与市场上的大多数产品封装实现引脚兼容。采用 TO-263-7 (D²PAK-7L) 封装的器件也可供选用，适合大功率应用，并且专为低导通电阻和高速开关 MOSFET 而设计。TO-263-7 封装提供 <7 毫米爬电距离和电气间隙，并最大限度地减少 PCB 设计中的隔离工作。

顶部冷却的 Q-DPAK 开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK 中的 CoolSiC MOSFET G2 器件通过更简单的组装和出色的热性能为客户降低了系统成本。与底部冷却解决方案相比，顶部冷却设备可以实现更优化的 PCB 布局，从而减少寄生元件和杂散电感的影响，同时还提供增强的热管理能力。Q-DPAK 封装可用作双半桥和单开关 MOSFET。

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC 参考设计由两块 PCB 组成，包括一个驱动电路和一个用于伺服电机和驱动器的三相逆变器。其优点包括高功率密度、无需冷却风扇的被动冷却，以及 PCB 直径仅为 110 mm 的超小占用空间。点击此处访问 Infineon 专用参考设计库。