448~P/PG-TO247-4-17~~4
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R012M2HXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IMZC120R012M2HXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IMZC120R012M2HXKSA1
描述
SICFET N-CH 1200V 129A TO247
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 1200 V 129A(Tc) 480W(Tc) PG-TO247-4-17
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IMZC120R012M2HXKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 57A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 17.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
124 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4050 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
480W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-4-17
封装/外壳
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

现货: 875
检查是否有其他入库库存
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$32.77000$32.77
30$20.94200$628.26
120$20.11408$2,413.69
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$32.77000
含 VAT 单价:$35.71930