Name: IMZC120R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Price: 26.1055 SGD
Availability: OutOfStock

通孔 N 通道 1200 V 69A（Tc） 289W（Tc） PG-TO247-4-17

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IMZC120R026M2HXKSA1
DigiKey 零件编号	448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IMZC120R026M2HXKSA1
描述	SICFET N-CH 1200V 69A TO247
原厂标准交货期	69 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 1200 V 69A（Tc） 289W（Tc） PG-TO247-4-17
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IMZC120R026M2HXKSA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 25 毫欧 @ 27A，18V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.1V @ 8.6mA
系列 CoolSiC™ G2	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 60 nC @ 18 V
包装管件	Vgs（最大值） +23V，-7V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1990 pF @ 800 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 289W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 1200 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 69A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO247-4-17
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V	封装/外壳 TO-247-4