新产品
IMCQ120R026M2HXTMA1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
IMCQ120R026M2HXTMA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMCQ120R053M2HXTMA1

DigiKey 零件编号
448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND - 卷带(TR)
448-IMCQ120R053M2HXTMA1CT-ND - 剪切带(CT)
448-IMCQ120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
IMCQ120R053M2HXTMA1
描述
SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 1200 V 43A(Tc) 234W(Tc) PG-HDSOP-22-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IMCQ120R053M2HXTMA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
52.6 毫欧 @ 13.2A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 4.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
32.8 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1270 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
234W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-3
封装/外壳
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现货: 694
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$12.50000$12.50
10$8.54600$85.46
100$6.79700$679.70
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
750$5.55313$4,164.85
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$12.50000
含 VAT 单价:$13.62500