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参数等效


Vishay Siliconix
现货: 494
单价: $7.44000
规格书

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 1,248
单价: $5.88000
规格书

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 3,138
单价: $5.85000
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onsemi
现货: 790
单价: $6.02000
规格书

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onsemi
现货: 1,444
单价: $6.83000
规格书

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onsemi
现货: 1,659
单价: $7.50000
规格书

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onsemi
现货: 1,790
单价: $8.67000
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onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

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Infineon Technologies
现货: 500
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规格书

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Infineon Technologies
现货: 260
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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $1.99444
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现货: 4,390
单价: $8.87000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: $4.30430

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IXYS
现货: 255
单价: $9.45000
规格书
通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 227W(Tc)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 227W(Tc)
TO-220AB
TO-220AB

SIHP22N60E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHP22N60E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHP22N60E-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 227W(Tc)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1920 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
227W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
封装/外壳
基本产品编号
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管件
数量 单价总价
1$6.91000$6.91
10$4.58800$45.88
100$3.26760$326.76
500$2.70442$1,352.21
1,000$2.52518$2,525.18
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$6.91000
含 VAT 单价:$7.53190