IPP65R190C6XKSA1 可以购买了,但通常没有现货。
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参数等效


Rochester Electronics, LLC
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单价: $2.76057
规格书
通孔 N 通道 650 V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP65R190C6XKSA1

DigiKey 零件编号
IPP65R190C6XKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP65R190C6XKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP65R190C6XKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
73 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1620 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
151W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
基本产品编号
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管件
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$1.99444
含 VAT 单价:$2.17394