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SIHP21N60EF-BE3
Vishay Siliconix
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AOT25S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
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FCP190N60
onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

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IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
现货: 37
单价: $4.99000
规格书

类似

IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
现货: 13
单价: $6.13000
规格书

类似

IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $2.02424
规格书

类似

IPP65R190C7FKSA1
Infineon Technologies
现货: 1
单价: $4.68000
规格书

类似

IXKC15N60C5
IXYS
现货: 0
单价: $4.40120
规格书

类似

IXKC20N60C
IXYS
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

IXKP20N60C5
IXYS
现货: 0
单价: $3.80480
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IXKP24N60C5
IXYS
现货: 0
单价: $6.69693

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STP28N65M2
STMicroelectronics
现货: 883
单价: $5.54000
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通孔 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
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SIHP21N60EF-GE3

DigiKey 零件编号
SIHP21N60EF-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHP21N60EF-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
原厂标准交货期
28 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHP21N60EF-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
176 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
84 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2030 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SIHP21
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数量 单价总价
1$7.24000$7.24
50$3.75320$187.66
100$3.41670$341.67
500$2.82692$1,413.46
1,000$2.63756$2,637.56
2,000$2.47844$4,956.88
5,000$2.46374$12,318.70
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$7.24000
含 VAT 单价:$7.89160