PG-TO220-3-1
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IPP60R199CPXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP60R199CPXKSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPP60R199CPXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP60R199CPXKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
199 毫欧 @ 9.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1520 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R199
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现货: 348
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$5.66000$5.66
50$2.88820$144.41
100$2.62070$262.07
500$2.15228$1,076.14
1,000$2.00359$2,003.59
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$5.66000
含 VAT 单价:$6.16940