SCT2120AFC 已经过时且不再制造。
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R6014YNX3C16
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
R6014YNX3C16
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

DigiKey 零件编号
SCT2120AFC-ND
制造商
制造商产品编号
SCT2120AFC
描述
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 29A(Tc) 165W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
156 毫欧 @ 10A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
61 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1200 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
165W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
基本产品编号
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