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PSMN2R2-40BS,118 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
PSMN2R2-40BS,118 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 1727-7118-2-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | PSMN2R2-40BS,118 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 130 nC @ 10 V |
包装 卷带（TR） | Vgs（最大值） ±20V |
零件状态 停产 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 8423 pF @ 20 V |
FET 类型 | 功率耗散（最大值） 306W（Tc） |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
漏源电压（Vdss） 40 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 D2PAK |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.2 毫欧 @ 25A，10V | 基本产品编号 |
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替代品 (12)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB8441 | onsemi | 783 | FDB8441CT-ND | $5.90000 | 类似 |
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | 4,978 | IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND | $4.14000 | 类似 |
| IPB120N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | 1,611 | IPB120N04S401ATMA1CT-ND | $5.28000 | 类似 |
| IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 1,559 | IPB120N04S402ATMA1CT-ND | $4.77000 | 类似 |
| IPB90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 665 | 448-IPB90N04S402ATMA1CT-ND | $4.50000 | 类似 |
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