NP110N04PUG-E1-AY 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 1,125
单价: $6.62000
规格书

类似


Texas Instruments
现货: 298
单价: $6.25000
规格书

类似


onsemi
现货: 377
单价: $5.84000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,559
单价: $4.77000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 6,150
单价: $4.53000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 765
单价: $6.43000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $0.00000
规格书
表面贴装型 N 通道 40 V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

NP110N04PUG-E1-AY

DigiKey 零件编号
NP110N04PUG-E1-AY-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
NP110N04PUG-E1-AY
描述
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 40 V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
NP110N04PUG-E1-AY 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
390 nC @ 10 V
包装
卷带(TR)
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
25700 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),288W(Tc)
技术
工作温度
175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
40 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-263
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.8 毫欧 @ 55A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.1,1251727-5518-1-ND$6.62000类似
CSD18510KTTTTexas Instruments298296-45229-1-ND$6.25000类似
FDB9406-F085onsemi377FDB9406-F085CT-ND$5.84000类似
IPB120N04S402ATMA1Infineon Technologies1,559IPB120N04S402ATMA1CT-ND$4.77000类似
IRFS7434PBFInfineon Technologies0IRFS7434PBF-ND$0.00000类似
按订单供货
查看交期
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后,DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
数量 单价总价
800$3.77884$3,023.07
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.77884
含 VAT 单价:$4.11894