NP109N04PUG-E1-AY 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $5.10971
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Nexperia USA Inc.
现货: 1,125
单价: $6.62000
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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $1.65329
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onsemi
现货: 783
单价: $5.90000
规格书

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Infineon Technologies
现货: 1,611
单价: $5.28000
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Infineon Technologies
现货: 1,559
单价: $4.77000
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Infineon Technologies
现货: 665
单价: $4.50000
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现货: 0
单价: $0.00000
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IXYS
现货: 0
单价: $5.38900
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IXYS
现货: 300
单价: $11.12000
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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $0.00000
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STMicroelectronics
现货: 2,286
单价: $6.79000
规格书
表面贴装型 N 通道 40 V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

NP109N04PUG-E1-AY

DigiKey 零件编号
NP109N04PUG-E1-AY-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
NP109N04PUG-E1-AY
描述
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 40 V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
NP109N04PUG-E1-AY 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
270 nC @ 10 V
包装
卷带(TR)
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15750 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),220W(Tc)
技术
工作温度
175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
40 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-263-3
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧 @ 55A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (13)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
AUIRF2804STRLInfineon Technologies0448-AUIRF2804STRLCT-ND$0.00000类似
AUIRFS3004TRLInfineon Technologies0448-AUIRFS3004TRLTR-ND$5.10971类似
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.1,1251727-5518-1-ND$6.62000类似
BUK962R6-40E,118Nexperia USA Inc.01727-1095-2-ND$1.65329类似
FDB8441onsemi783FDB8441CT-ND$5.90000类似
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所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
数量 单价总价
800$3.28035$2,624.28
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.28035
含 VAT 单价:$3.57558