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IXTP08N100D2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 238-IXTP08N100D2-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IXTP08N100D2 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 沟道，耗尽型 1000 V 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IXTP08N100D2 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14.6 nC @ 5 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 325 pF @ 25 V |
包装 管件 | 功率耗散（最大值） 60W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
FET 类型 | 安装类型 通孔 |
技术 | 供应商器件封装 TO-220-3 |
漏源电压（Vdss） 1000 V | 封装/外壳 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 21 欧姆 @ 400mA，0V |
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| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $5.98000 | $5.98 |
| 50 | $3.04640 | $152.32 |
| 100 | $2.76300 | $276.30 |
| 500 | $2.26622 | $1,133.11 |
| 1,000 | $2.10670 | $2,106.70 |
| 2,000 | $1.97261 | $3,945.22 |
| 5,000 | $1.90224 | $9,511.20 |
| 不含 VAT 单价: | $5.98000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $6.51820 |
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