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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
LND150N3-G | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | LND150N3-G-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | LND150N3-G |
描述 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 |
原厂标准交货期 | 7 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 沟道，耗尽型 500 V 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | LND150N3-G 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 袋 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 500 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1000 欧姆 @ 500µA，0V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 740mW（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-92-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 1,455
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数量
所有价格均以 SGD 计算
袋
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $0.84000 | $0.84 |
| 25 | $0.72440 | $18.11 |
| 100 | $0.64090 | $64.09 |
| 不含 VAT 单价: | $0.84000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $0.91560 |
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