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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPP60R190C6XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPP60R190C6XKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPP60R190C6XKSA1 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO220-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPP60R190C6XKSA1 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 630µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1400 pF @ 100 V |
零件状态 不适用于新设计 | 功率耗散（最大值） 151W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 600 V | 供应商器件封装 PG-TO220-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V |
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替代品 (11)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| STP28N60DM2 | STMicroelectronics | 952 | 497-16348-5-ND | $6.58000 | 直接 |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | $7.65000 | 类似 |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | $7.24000 | 类似 |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | $2.84944 | 类似 |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | $4.17000 | 类似 |
展开
现货: 2,428
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $6.12000 | $6.12 |
| 50 | $3.08720 | $154.36 |
| 100 | $2.79290 | $279.29 |
| 500 | $2.27714 | $1,138.57 |
| 1,000 | $2.11147 | $2,111.47 |
| 2,000 | $1.97221 | $3,944.42 |
| 5,000 | $1.82166 | $9,108.30 |
| 不含 VAT 单价: | $6.12000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $6.67080 |
