SIHP22N60AE-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


Vishay Siliconix
现货: 1,938
单价: $6.90000
规格书

类似


onsemi
现货: 635
单价: $6.38000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,839
单价: $5.23000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $4.23757

类似


IXYS
现货: 0
单价: $4.79903

类似


IXYS
现货: 0
单价: $6.69693

类似


STMicroelectronics
现货: 112
单价: $10.00000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 31
单价: $6.13000
规格书
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHP22N60AE-GE3

DigiKey 零件编号
SIHP22N60AE-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHP22N60AE-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
96 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±30V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1451 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
179W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-220AB
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 11A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
SIHP22N60AE-BE3Vishay Siliconix1,938742-SIHP22N60AE-BE3-ND$6.90000直接
FCP190N65S3onsemi635FCP190N65S3-ND$6.38000类似
IPP60R190E6XKSA1Infineon Technologies1,839448-IPP60R190E6XKSA1-ND$5.23000类似
IXFP24N60XIXYS0IXFP24N60X-ND$4.23757类似
IXFP30N60XIXYS0IXFP30N60X-ND$4.79903类似
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管件
数量 单价总价
1,000$2.84944$2,849.44
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$2.84944
含 VAT 单价:$3.10589