IPP60R099P6XKSA1 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


IXYS
现货: 0
单价: $7.21080

类似


Rohm Semiconductor
现货: 960
单价: $9.30000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 953
单价: $10.27000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 989
单价: $10.38000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $4.05132
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 800
单价: $9.94000
规格书
通孔 N 通道 600 V 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP60R099P6XKSA1

DigiKey 零件编号
IPP60R099P6XKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP60R099P6XKSA1
描述
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP60R099P6XKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1.21mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3330 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 14.5A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IXTP32N65XIXYS0IXTP32N65X-ND$7.21080类似
R6027YNX3C16Rohm Semiconductor960846-R6027YNX3C16-ND$9.30000类似
R6035VNX3C16Rohm Semiconductor953846-R6035VNX3C16-ND$10.27000类似
R6038YNX3C16Rohm Semiconductor989846-R6038YNX3C16-ND$10.38000类似
SIHP28N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHP28N65E-GE3-ND$4.05132类似
现货: 0
查看交期
申请库存通知
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$10.20000$10.20
50$5.38360$269.18
100$4.91840$491.84
500$4.10404$2,052.02
1,000$3.84261$3,842.61
2,000$3.62295$7,245.90
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$10.20000
含 VAT 单价:$11.11800