


SIHP33N60E-GE3 | |
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DigiKey 零件编号 | 742-SIHP33N60E-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHP33N60E-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB |
原厂标准交货期 | 25 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) TO-220AB |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIHP33N60E-GE3 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 99 毫欧 @ 16.5A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 150 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3508 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 278W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $9.45000 | $9.45 |
| 50 | $5.04440 | $252.22 |
| 100 | $4.62030 | $462.03 |
| 500 | $3.87758 | $1,938.79 |
| 1,000 | $3.83130 | $3,831.30 |
| 不含 VAT 单价: | $9.45000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $10.30050 |

