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IPB65R190CFDATMA1 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPB65R190CFDATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPB65R190CFDATMA1TR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPB65R190CFDATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPB65R190CFDATMA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 7.3A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 730µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1850 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 151W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
过期
新加坡