STB31N65M5 可以购买了,但通常没有现货。
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图像仅供参考,请参阅产品规格书。


STB31N65M5 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-13084-2-ND - 卷带(TR) |
制造商 | |
制造商产品编号 | STB31N65M5 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
原厂标准交货期 | 16 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 22A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2PAK) |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STB31N65M5 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 148 毫欧 @ 11A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1865 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 150W(Tc) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263(D2PAK) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,000 | $2.51209 | $2,512.09 |
| 不含 VAT 单价: | $2.51209 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.73818 |







