SIHB22N65E-GE3 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

直接

FCB20N60FTM
onsemi
现货: 1,280
单价: $9.14000
规格书

类似

FCB199N65S3
onsemi
现货: 598
单价: $6.72000
规格书

类似

IPB60R160C6ATMA1
Infineon Technologies
现货: 1,965
单价: $5.91000
规格书

类似

IPB60R190C6ATMA1
Infineon Technologies
现货: 1,074
单价: $5.15000
规格书

类似

IXFA22N65X2
IXYS
现货: 5,379
单价: $9.17000
规格书

类似

IXFA24N60X
IXYS
现货: 0
单价: $4.45983

类似

IXFA30N60X
IXYS
现货: 0
单价: $5.03033

类似

STB20N65M5
STMicroelectronics
现货: 835
单价: $6.03000
规格书

类似

STB21N65M5
STMicroelectronics
现货: 4,504
单价: $7.97000
规格书

类似

STB24N60M2
STMicroelectronics
现货: 880
单价: $5.00000
规格书

类似

STB24NM60N
STMicroelectronics
现货: 698
单价: $9.95000
规格书

类似

STB28N60M2
STMicroelectronics
现货: 1,652
单价: $3.79000
规格书
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TO-263-3
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N65E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHB22N65E-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHB22N65E-GE3
描述
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 650 V 22A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHB22N65E-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2415 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
SIHB22
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$3.01280
含 VAT 单价:$3.28395