STMicroelectronics

STPOWER 碳化硅 MOSFET

STMicroelectronics 最先进的 MOSFET 封装专为汽车和工业应用而设计

STMicroelectronics STPOWER SiC MOSFET 图片（点击放大）STMicroelectronics 的 STPOWER SiC MOSFET 将宽带隙材料的先进效率和可靠性带入更广泛的节能应用中，例如在电动/混合动力汽车中的逆变器、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备。这些 MOSFET 有着 650 V 至 1700 V 的扩展电压范围，因此具有出色的开关性能，单位面积品质因数极低的导通电阻 RDS(ON)。ST SiC MOSFET 允许设计比以往更高效、更紧凑的系统。ST 的 1200 V SiC MOSFET 具有出色的 +200°C 额定温度，可改进电力电子系统的热设计。与硅 MOSFET 相比，碳化硅 MOSFET 还具有显著降低的开关损耗，并且随温度变化所产生的波动极小。

主要特性

  • 符合汽车级 (AG) 标准的器件
  • 非常高的温度处理能力（最大TJ = +200°C）
  • 非常低的开关损耗（相对于温度的变化最小）允许在非常高的开关频率下运行
  • 温度范围内的导通电阻低
  • 驱动简单
  • 坚固耐用的超快型本征体二极管

Gen 3

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE470 - 立即发货$19.56查看详情
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT055HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE252 - 立即发货$19.48查看详情
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT060HU75G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE551 - 立即发货$17.75查看详情
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 65084 - 立即发货$11.93查看详情
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040W65G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE5 - 立即发货$18.26查看详情

Gen 2

图片制造商零件编号描述可供货数量价格
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247SCTW40N120G2VAGSICFET N-CH 1200V 33A HIP247366 - 立即发货$23.96查看详情
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120SCTWA60N120G2-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120229 - 立即发货$24.62查看详情
SICFET N-CH 650V 100A HIP247SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247471 - 立即发货$48.05查看详情
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7SCTH90N65G2V-7SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7999 - 立即发货$33.38查看详情
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247443 - 立即发货$38.55查看详情

Gen 1

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2SCT20N120HSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-20 - 立即发货$12.90查看详情
HIP247 IN LINESCT1000N170HIP247 IN LINE14 - 立即发货$12.37查看详情
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120SICFET N-CH 1200V 12A HIP247109 - 立即发货$12.52查看详情
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247SCT50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247293 - 立即发货$38.22查看详情
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120AGSICFET N-CH 1200V 12A HIP247527 - 立即发货$12.82查看详情
更新日期： 2024-11-22
发布日期： 2015-02-19

Related Product Highlight

SCT055HU65G3AG 汽车级碳化硅功率 MOSFET 该碳化硅 STPOWER MOSFET 器件采用 STMicroelectronics 先进的创新第三代 SiC MOSFET技术。
HB2 系列 650 V IGBT 由于在低电流值下具有更好的 VCE(sat) 表现，STMicro 的 IGBT 650 V HB2 系列的传导性能得到了优化。
功率 MOSFET STMicroelectronics 功率 MOSFET 专为包括开关模式电源、照明、DC-DC 转换器、电机控制和汽车等应用而设计。

Related Articles and Blogs

宽带隙半导体重塑交通运输行业 随着面向电动和混合动力汽车以及更清洁公共交通的解决方案推出，整个交通运输行业正在经历一场彻底的变革。
宽带隙半导体在航空航天和卫星方面的应用 宽带隙半导体在电源转换方面具备多种优势，如功率密度和效率更高，以及系统尺寸和重量更小。
2023 May be the Year You Try Silicon Carbide: Here’s Why Silicon carbide is coming down in cost and can support the development of smaller and more efficient power conversion solutions compared with silicon.

Related Product Training Modules

ST MOSFETs To give users a quick overview of basic MOSFET parameters and fundamentals.
Silicon Carbide MOSFET Ideal for improving the performance of high power systems that traditionally have relied on IGBTs as power switches, explore STMicroelectronics Silicon Carbide MOSFET technology.