
SCTWA60N120G2-4 | |
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DigiKey 零件编号 | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTWA60N120G2-4 |
描述 | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 60A(Tc) 388W(Tc) TO-247-4 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTWA60N120G2-4 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 最后售卖 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 52 毫欧 @ 30A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 94 nC @ 18 V | |
Vgs(最大值) | +22V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1969 pF @ 800 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 388W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-4 | |
封装/外壳 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $24.62000 | $24.62 |
| 10 | $19.57200 | $195.72 |
| 30 | $18.09633 | $542.89 |
| 120 | $16.77875 | $2,013.45 |
| 270 | $16.21511 | $4,378.08 |
| 510 | $15.85461 | $8,085.85 |
| 不含 VAT 单价: | $24.62000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $26.83580 |

