SCT20N120H STMicroelectronics | 单 FET，MOSFET

SCT20N120H
DigiKey 零件编号	497-SCT20N120HTR-ND - 卷带（TR） 497-SCT20N120HCT-ND - 剪切带（CT） 497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	SCT20N120H
描述	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1200 V 20A（Tc） 175W（Tc） H2PAK-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SCT20N120H 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	STMicroelectronics
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	290 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	45 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	650 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	175W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 200°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	H2PAK-2
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	SCT20

SCT20N120H