碳化硅肖特基势垒二极管

            碳化硅肖特基势垒二极管
  
                    ROHM 的超低开关损耗二极管提供各种额定电流和封装

ROHM SiC 肖特基势垒二极管图片 ROHM 提供碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管，具有各种额定电流和封装。一些特性包括低正向压降、高峰值电流 (IFSM) 额定值和低泄漏。每种封装都带有一个或两个二极管，某些符合 AEC-Q101 标准的型号可供汽车使用。无论温度如何，反向恢复时间 (t_RR)（主要由器件电容引起）几乎是恒定的。它比硅快恢复二极管 (SiFRD) 提供更低的开关损耗。

特性

超快的恢复时间
最高结温：+175 °C
封装器件额定电压为 650 V 或 1200 V
可提供裸芯片，额定电压高达 1700 V
提供 SPICE 和热模型

连续正向电流额定值为 2 A、4 A、5 A、6 A、8 A、10 A、12 A、15 A、20 A、30 A 和 40A
第三代低 VF
工作温度范围：-40°C 至 +175°C

应用

功率因数校正电路数
二级整流器
汽车电子

SiC Diodes

制造商零件编号	描述	电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	可供货数量	价格	查看详情
SCS220KE2C	DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247	1200 V	0 - 立即发货	$14.21	查看详情
SCS240AE2C	DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247	650 V	0 - 立即发货	$13.41	查看详情
SCS120KE2C	DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247	1200 V	0 - 立即发货	$36.00	查看详情
SCS140AE2C	DIODE ARRAY SIC 600V 20A TO-247	600 V	0 - 立即发货	$50.23	查看详情
SCS210KE2HRC	DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247	650 V	0 - 立即发货	$9.10	查看详情

SiC Transistors

制造商零件编号	描述	FET 功能	可供货数量	价格	查看详情
BSM120D12P2C005	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE	-	2 - 立即发货	$544.87	查看详情
BSM180D12P3C007	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE	-	13 - 立即发货	$772.57	查看详情
BSM300D12P2E001	MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE	-	16 - 立即发货	$1,026.71	查看详情
BSM250D17P2E004	MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE	-	8 - 立即发货	$1,472.97	查看详情
BSM080D12P2C008	MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE	-	61 - 立即发货	$437.18	查看详情

查看更多内容

Diodes - Rectifiers - Single

制造商零件编号	描述	不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	速度	可供货数量	价格	查看详情
SCS205KGC	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC	1.6 V @ 5 A	Zero Recovery Time > 500mA (Io)	0 - 立即发货	$3.19	查看详情
SCS205KGHRC	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC	1.6 V @ 5 A	Zero Recovery Time > 500mA (Io)	0 - 立即发货	$4.49	查看详情
SCS206AGC	DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC	1.55 V @ 6 A	Zero Recovery Time > 500mA (Io)	0 - 立即发货	$2.12	查看详情
SCS206AGHRC	DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC	1.55 V @ 6 A	Zero Recovery Time > 500mA (Io)	0 - 立即发货	$2.95	查看详情
SCS206AJHRTLL	DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB	1.55 V @ 6 A	Zero Recovery Time > 500mA (Io)	2746 - 立即发货	$8.55	查看详情

查看更多内容

Diodes - Rectifiers - Arrays

制造商零件编号	描述	不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	速度	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	可供货数量	价格	查看详情
SCS210KE2HRC	DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247	1.55 V @ 20 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	400 µA @ 600 V	0 - 立即发货	$9.10	查看详情
SCS220AE2C	DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247	1.55 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	0 - 立即发货	$7.17	查看详情
SCS220AE2HRC	DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247	1.55 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	0 - 立即发货	$8.47	查看详情
SCS220KE2C	DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247	1.6 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	0 - 立即发货	$14.21	查看详情
SCS220KE2HRC	DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247	1.55 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	200 µA @ 600 V	0 - 立即发货	$15.77	查看详情

查看更多内容

更新日期： 2020-04-22

发布日期： 2019-04-30

Related Product Highlight

Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.

SiC 功率 MOSFET ROHM 的碳化硅 (SiC) MOSFET 具有 650 V、1,200 V 或 1,700 V 的各种导通电阻和电压 (VDSS) 额定值。

AEC-Q101 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 ROHM Semiconductor 的 AEC-Q101 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管非常适合各种各样的汽车应用。

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.

Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.

Silicon Carbide (SiC) Barrier Diodes Introducing Silicon Carbide advantages over silicon-based products, as well as an explanation of how their unique characteristics can benefit existing power solutions.

碳化硅肖特基势垒二极管