SIC Power Module
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SIC Power Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKey 零件编号
BSM180D12P3C007-ND
制造商
制造商产品编号
BSM180D12P3C007
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 表面贴装型 模块
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSM180D12P3C007 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 50mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
900pF @ 10V
功率 - 最大值
880W
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
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