MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 120A(Tc) 780W 模块
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MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 120A(Tc) 780W 模块
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

DigiKey 零件编号
BSM120D12P2C005-ND
制造商
制造商产品编号
BSM120D12P2C005
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
原厂标准交货期
27 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 120A(Tc) 780W 模块
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSM120D12P2C005 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 22mA
制造商
Rohm Semiconductor
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14000pF @ 10V
包装
散装
功率 - 最大值
780W
零件状态
在售
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
技术
碳化硅(SiC)
封装/外壳
模块
配置
2 个 N 通道(半桥)
供应商器件封装
模块
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
基本产品编号
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 2
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所有价格均以 SGD 计算
散装
数量 单价总价
1$514.64000$514.64
不含 VAT 单价:$514.64000
含 VAT 单价:$560.95760