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onsemi 标准产品如何提升性能标准
onsemi 的标准产品提供适用于汽车、工业和消费电子的紧凑、高效型解决方案。onsemi 的产品组合将集成 IC 与晶体管、二极管、LDO、放大器、逻辑器件、EEPROM 和保护器件等分立元器件相结合，帮助工程师简化设计、增强接口并提高可靠性。
onsemi 提供超过 6,000 个零件编号，涵盖 170 多种封装（包括超小型选项和业界首创封装），并可通过 Treo 平台支持的互操作构件，加快开发速度并简化采购流程。该平台是一个集智能传感和电源于一体的统一技术平台。这种适应能力将服务于广泛的行业和应用领域。
- 逻辑器件
- EEPROM
- 低压差稳压器
- 放大器
- 隔离
- 晶体管
- 保护
- 二极管
逻辑器件
产品组合：onsemi 在逻辑器件领域排名第二。我们丰富的产品系列使我们成为一站式供应商，全面提供一流的品质。
高速性能：支持高达 140 Mbps 的数据速率，可针对严苛的高性能应用实现快速可靠的数据传输。
灵活的电压范围：我们的器件在 0.9 V 至 18 V 电压范围内工作，可轻松与各种级别的电源连接 — 非常适合从汽车到工业领域的各种应用。
系统集成：电平转换器可在不同的电压域之间提供快速可靠的信号转换，有助于保持系统效率和性能。
标准逻辑器件
- 0.9 V 至 18 Vcc
- 小型栅极/多栅极
电压转换器
- 双向/单向
- 自动感应
- 1/2/4/8 通道
接口
- I2C I/O 扩展器
- I2C/I3C 转换器
开关
- 模拟开关
- 高速总线开关
特色产品
NL5X4002DR2G
双向电压电平转换器，单电路，双通道，24 Mbps，8-SOIC
NL3X5004MU2TAG-Q
双向电压电平转换器，单电路，4 通道，140 Mbps，12-UQFN (1.7x2)
NC7WZ14P6X
逆变器 IC，双通道，施密特触发器，SC-88 (SC-70-6)
EEPROM
数据保留和可靠性：高达 400 万个写入周期和 200 年的数据保存期，确保关键存储具有长期可靠性。
宽温度范围：汽车级 (0°C–150°C) 和工业级 (-40°C–125°C) 额定规格使其成为恶劣环境的理想选择。
EEPROM 保证：可靠的长期数据保存至关重要 — 尤其是在精度至关重要的极端条件下。
onsemi 标准产品：以其领先地位、高品质和高产能而闻名业界。
标准逻辑器件
- 12 个 VVO
- 消除转换器
汽车
- 高温 (150℃)
- AM weRe 周期
广泛的产品组合
- 2 kb - 1 mb
- SPI 和 I2C 接口
- 多种封装
特色产品
低压差稳压器
性能：专为严苛型应用而打造的业界领先的功能。
可靠且持久耐用：专为工业和汽车环境设计，具有更长生命周期。
灵活的设计支持：借助框图等资源实现采用全套 onsemi 解决方案的创新系统设计。
多功能配置：高达 37 V 的可调输出电压，并提供多种封装选择。
汽车级品质：符合 AEC-Q100 标准，并提供专门的应用支持。
高温
- 更高的工作结温旨在满足更高的工作温度要求
- 专为这些较高工作温度而设计的晶体管
- 工作 Tj = 150°C，Tj = Ta + 25°C；对于高功率耗散，Tj = Ta + Pd * Rɵja
低 VDO 和 IQ
- 效率更高
- 具有更低的电压差和更高的精度
低 VDO 和 IQ
- 高温 (150℃)
- AM weRe 周期
特色产品
放大器
传感放大器：电源解决方案（SiC、IGBT、MOSFET）的必备元器件，提供从通用型到精密型的各种选择，支持 1 V 至 80 V 电压。
快速准确：提供可靠的电源管理和故障保护性能。
信号完整性：精密放大器可保持精确输出，从而保持信号质量并最大限度减少失真。
标准放大器
- 高增益和带宽
- 轨至轨
高精度
- 低 Vos /漂移
- 微调和零漂移
- 低噪声
电流检测
- 高电压
- 零漂移
- 双向/单向
低功耗和低补偿
- 低静态电流
- 低输入失调
- 低失调电压
特色产品
隔离
功耗：1 Mbps 速率下每通道仅消耗 165 mA 电流 — 非常适合节能型工业和汽车设计。
性能：高共模瞬变抗扰度 (CMT) 确保在噪声环境下实现快速、可靠的开关。
光电晶体管
- 窄 CIR 分档
- TA=125°C 系列
电流检测
- 高电压
- 无缓冲器双向可控硅驱动器
高速
- 低静态电流
- 低输入失调
- 低失调电压
特色产品
晶体管
晶体管系列：BJT、BRT、JFET 和达林顿管，电压范围约 10 V – 800 V，电流大于 10 A。这些晶体管具有低 VCE(sat)、高 hFE 和强大的 ESD 容限，能够在汽车、工业和消费系统中实现高效驱动和可靠开关。
智能集成：偏置电阻晶体管（17 种采用单/双封装的电阻器组合）减少了物料清单和电路板空间。低米勒结型场效应晶体管 (JFET)（~10 V – 40 V）用于稳定射频放大器，NPN/PNP 达林顿管（~30 V – 400 V，Ic ~0.3 A – 50 A，增益高达 ~30,000）用于简化驱动 — 使 BJT 在合适的工作点上成为经济高效的 MOSFET 替代品。
加速设计：Treo 平台简化了选型和设计周期。
双极性结型晶体管 (BJT)
- 10 V 至 800 V
- 最小封装尺寸为 1.0 x 0.6 mm2
- 音频和功率器件的电流处理能力 > 10 A
- 提供低 VCE 饱和电压器件
- 经济高效的 MOSFET 替代品
- RDSON 约为 30 毫欧
- 高 ESD 容限
偏置电阻晶体管 (BRT)
- 带集成偏置电阻器的 B.JT
- 节省成本和板空间
- 17 种不同的电阻器组合
- 单输出和双输出
- 超过 350 种选择
结型场效应晶体管 (JFET)
- 10 V 至 40 V
- 最小封装尺寸为 1.0 x 0.6 mm2
- 低米勒电容
- 专为射频放大器应用而优化的精选器件
- 超过 50 种器件可供选择
特色产品
保护
保护：onsemi 保护器件可保护每个接口，具有低钳位 ESD 和浪涌保护 (~1 V – 70 V)，提供单路、双路和阵列格式，适用于高速、电源、GPIO 和电池线路。
信号完整性和紧凑设计：精选元件采用超小型封装 (~1.0 × 0.6 mm²)，可保证最大插入损耗，以保持信号质量，非常适合密集的汽车、工业和消费电子布局。
集成 EMI 滤波：ESD 保护的 EMI 滤波器可在主要频段提供强大衰减，并具有共模选项和适合单端线路的 LC/RC 选项。
电压限制选项：互补齐纳二极管（~1.8 V – 200 V，~0.2 W – 5 W）提供受控钳位，由 Treo 平台提供全面支持，以加快系统级设计。
静电放电和浪涌保护
- 业界最高功率密度
- 低钳位电压
- 1 V 至 70 V
- 单路、双路和阵列
- 针对每个接口优化响应：高速、电力线、GPIO、电池线
- 指定设备上的保证最大插入损耗
EMI 滤波器
- 带集成 ESD 和浪涌保护功能的滤波器
- 适合差分线路的共模选项，以及适合单端线路的 LC 和 RC 选项
- 感兴趣频段高衰减
- 出色的钳位电压
- 单个器件和阵列，超过 50 种器件可供选择
恒流调节 (CCR)
- 为 LED 提供固定电流的驱动器
- 与开关稳压器相比，成本效益更高
- 不会产生电磁干扰
- 45 至 120 V 工作电压
- 2 端子固定输出，3 端子配置输出
特色产品
二极管
二极管解决方案：onsemi 提供具有优化的 Vf/IF 效率和低恢复性能的肖特基整流器和标准整流器，并有单路、双路和桥式等多种形式可供选择。该产品系列包括业界首款采用 01005 级封装的紧凑型大电流选项 (~500 mA / 30 V)。
精确电压控制：互补齐纳二极管（~1.8 V – 200 V，~0.2 W – 5 W）可在宽封装范围内实现精确的钳位和电压基准 — 非常适合空间受限的设计。
加速开发：借助 Treo 平台简化系统级设计周期。
齐纳二极管
- 1.8 V - 200 V
- 2 W - 5 W
- 封装种类繁多
- 最小器件尺寸为 0.62 x 0.32 mm2
肖特基二极管和固态二极管
- 优化的电压和 IR 规格提高了电源效率，减小了封装
- 恢复时间短
- 提供单路、双路和桥式配置
- 多种封装可供选择
- 业界首款采用 01005 封装的 500 mA、30 V 肖特基二极管
射频分立器件
- 用于放大器电路的射频 BJT 和 JET
- 用于衰减器的 PIN 二极管
- 用于包络检波器的肖特基二极管
- 8.5 GHz 单刀双掷开关
- 天线 ESD 保护
新加坡