Unlike traditional high-surge TVS diodes that come in bulky axial-leaded or large surface mount packages, the DFNAK3 Series uses a compact DFN package—making it one of the smallest 3 kA-rated TVS diode on the market.
New single-channel driver with 2.5 kV capacitive isolation enhances power density, speeds switching, and boost’s reliability for motor drives, inverters, and industrial power supplies.
IX4352NE 9 A 低侧 SiC MOSFET 和 IGBT 驱动器
发布日期:2025-09-22
IXYS IX4352NEAU 栅极驱动器专门设计用于驱动具有独立拉/灌输出的 SiC MOSFET 和大功率 IGBT。
用多技术方法优化 SMPS 效率
发布日期:2025-09-17
Littelfuse SiC MOSFET、MOS 门控晶闸管和整流器可为电动汽车充电桩、太阳能逆变器和电机驱动器提供高效、可靠的 SMPS 设计。
IXYS/Littelfuse 工业级单开关 SiC MOSFET 具有良好的功率循环特性和非常快速、低损耗的开关行为。
IXYS/Littelfuse IXSJxxN120R1 高效 1200 V SiC MOSFET 在高压、高效电源转换系统中提供卓越的性能。
LX5 系列 0.8 A 灵敏型三端双向可控硅
发布日期:2025-06-04
IXYS LX5 系列 0.8 A 灵敏型三端双向可控硅以经济的 TO-92 和表面贴装封装提供与微处理器驱动器的直接接口。
DCK 系列 SiC 肖特基势垒二极管
发布日期:2025-04-14
Littelfuse Technology 旗下 IXYS 的 650 V/1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管非常适合需要提高效率、可靠性和热管理的应用。
LSIC2SD065D40CC:高性能碳化硅肖特基二极管
发布日期:2024-11-12
IXYS LSIC2SD065D40CC 是一款先进的碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管,旨在为高功率应用提供卓越的性能。
IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4 级功率 MOSFET
发布日期:2024-10-30
由于其导通电阻的正温度系数,IXYS IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 并联使用可满足大电流要求。
IX4341/IX4342 MOSFET 栅极驱动器
发布日期:2024-09-20
IXYS IX4341/IX4342 MOSFET 栅极驱动器具有两个独立的驱动器,这些驱动器均具有反相能力,或者一个具有反相能力而另一个具有非反相能力。
Pxxx0S3N系列SIDACtor®保护晶闸管
发布日期:2024-07-30
IXYS 的汽车级 Pxxx0S3N-A SIDACtor 系列可提供强大的交流电源线保护,防止恶劣环境下的过压瞬变。

