IXSJxxN120R1 SiC MOSFET

IXYS/Littelfuse 的 IXSJxxN120R1 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 为高压、高效电源转换系统提供卓越的性能。这些器件具有高达 1200 V 的阻断电压和低至 18 mΩ 的典型导通电阻，并针对需要快速开关、低传导损耗和卓越热性能的应用进行了优化。该器件具有低栅极电荷和输入电容，降低了栅极驱动功率并最大限度减少了开关损耗。它们非常适合用于电动汽车 (EV) 充电基础设施、太阳能逆变器和高频电源。

IXSJxxN120R1 MOSFET 采用隔离式 TO-247-3L 封装，具有增强的热管理和电气隔离，支持在恶劣环境下稳定运行。它们的宽栅极电压范围和低 EMI 特性，使其成为寻求提高系统效率和可靠性的设计人员的一种多功能选择。无论用于电机驱动、电池充电器还是不间断电源，这些 SiC MOSFET 都能提供下一代电力电子所需的性能和耐用性。