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Vishay Semiconductor Diodes VS-SF50xA120 和 VS-SFxx0SA120 电源模块采用 SiC MOSFET 并集成了具有低反向恢复特性的软体二极管。

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Vishay Intertechnology 推出了四款采用紧凑型全绝缘 SOT-227 封装的 100 V Gen 2 沟槽式 MOS 势垒肖特基 (TMBS®) 整流器模块。

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Vishay Semiconductor VS-MPY038P120/VS-MPX075P120 MAACPAK PressFit 电源模块提高了中高频应用的效率和可靠性。

Vishay VGSOT* 单线和双线 ESD 保护二极管确保比上一代设备更高效的散热。

Vishay T15BxxA 和 T15BxxCA 表面贴装 PAR 瞬态电压抑制器可节省电路板空间，同时降低汽车应用成本。

Vishay 表面贴装标准和 TMBS 整流器提供节省空间的高能效解决方案。

Vishay 碳化硅肖特基二极管非常适合在宽温度范围内进行极端高速硬开关。

Vishay VS-SCx 碳化硅肖特基势垒二极管采用最先进的薄晶圆技术制造。

Information from Vishay on improved thermal performance and efficiency high-current ratings to 9 A.

Vishay's soldering recommendations for power DFN packages.

Information on Vishay's surface-mount TMBS and standard rectifiers.

Vishay V6N3M103-M3/I 和 V6N3M103HM3/I TMBS® 整流器采用带有侧面可润湿侧翼的薄型 DFN33A 封装。

Vishay VS-SCx0BA120 碳化硅桥接器模块采用先进的碳化硅肖特基二极管技术。

Vishay 1,200 V FRED Pt 第 7 代超快速恢复整流器具有低结电容和恢复时间。

采用合并 PIN 肖特基设计的 SiC 能以低损耗实现高电流能力，从而提高开关电源系统的效率和可靠性。

Vishay VETH100A1DD1 系列 ESD 保护二极管符合 OPEN Alliance 100Base-T1 和 1000Base-T1 规范。

Vishay 的 Gen 3 1,200 V SiC 肖特基二极管具有较低的正向压降、电容电荷和反向漏电流。

Vishay 的碳化硅肖特基载流子二极管几乎没有恢复尾部和开关损耗。

Vishay 采用 DFN3820A 封装的 TVS 二极管可在 10/1,000 μs 时提供 600 W 的峰值脉冲功率，漏电流低至 1 μA。

Vishay 的 VS-VSUD505CW60 和 VS-VSUD510CW60 软恢复二极管比上一代器件的预期寿命更长。